https://o.aolcdn.com/images/dims?quality=85&image_uri=https%3A%2F%2Fo.aolcdn.com%2Fimages%2Fdims%3Fcrop%3D1000%252C574%252C0%252C0%26quality%3D85%26format%3Djpg%26resize%3D1600%252C918%26image_uri%3Dhttps%253A%252F%252Fs.yimg.com%252Fos%252Fcreatr-uploaded-images%252F2019-02%252F6de7b8b0-3a53-11e9-9d7f-4c642aec8933%26client%3Da1acac3e1b3290917d92%26signature%3Dbbfe95c3e258297f063a3b602ca6c80042cfe637&client=amp-blogside-v2&signature=f58db6d855d313f4840b973c8aab2288c51f2085

Samsung začal sériově vyrábět nový 512GB flash čip, je prý dvakrát rychlejší než předchůdce

Samsung oznámil, že začal sériově vyrábět nový 512GB paměťový modul se specifikacemi eUFS 3.0, určený pro příští generaci mobilních zařízení. Oproti předloňskému předchůdci prý  nabídne dvojnásobnou sekvenční rychlost čtení i zápisu – 2100 MB/s a 410 MB/s.

Podle jihokorejského technologického obra je čip také v rychlosti čtení dvacetkrát rychlejší než běžná microSD karta a čtyřikrát rychlejší než SATA SSD disk. Film v rozlišení Full HD by se tak měl z počítače do telefonu přehrát za pouhé tři sekundy. Samsung též očekává, že vysoké rychlosti pomohou zajistit hladkou uživatelskou zkušenost „v budoucích smartphonech s ultravelkými displeji s vysokým rozlišením“.

Kromě toho je čip prý schopen provést 63 000 náhodných čtecích a 68 000 zápisových operací za sekundu (IOPS), což je o 36 % více, než kolik nabídne současný standard eUFS 2.1. V tomto ohledu je tak prý více než 630x rychlejší než běžná microSD karta.

Modul bude dostupný, stejně jako jeho 128GB verze, ještě v únoru. Samsung také plánuje vyrábět v druhé polovině roku 256GB a 1TB verze.

 

Zdroj: samsung.com